TECNOLOGÍA NAND FLASH DE 32 NANÓMETROS

SANDISK DESARROLLA TECNOLOGÍA NAND FLASH DE 32 NANÓMETROS —EL CHIP DE MEMORIA FLASH MÁS PEQUEÑO Y AVANZADO DEL MUNDO

La combinación de X3 y 32 nanómetros supone grandes avances en tamaño y densidad; reduce de forma significativa el coste de fabricación al mismo tiempo que se mantiene el rendimiento

* Permitirá tarjetas microSD de mayor capacidad, ahora no disponibles con las tecnologías existentes.
* Mantiene los niveles de rendimiento de la tecnología de proceso de 43 nanómetros (nm) gracias a la arquitectura avanzada All Bit Line (ABL) de SanDisk y a los avances de la tecnología de procesos de 32 nm

Madrid, 11 de febrero de 2009 — SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) y Toshiba Corporation han anunciado el desarrollo conjunto de memoria NAND flash de celdas multinivel (MLC) utilizando tecnología de proceso de 32 nanómetros (nm) para producir un chip de memoria de 3 bits por celda (X3) de 32 gigabits (Gb). Se espera que la presentación de este avance aporte rápidamente al mercado tecnologías avanzadas que permitirán mayores capacidades y reducirán los costes de fabricación de productos, que abarcan desde las tarjetas de memoria a las unidades de memoria de estado sólido (SSD).

“El desarrollo de nuestra tercera generación de tecnología de 3 bits por celda en 32 nm, un año y medio después de la presentación de nuestra primera generación de 3 bits por celda en 56 nm, muestra el ritmo tan sumamente rápido necesario para ser un productor de primera línea en la industria actual. Esto nos permite ofrecer mayores capacidades de almacenamiento a la vez que se reducen los costes de fabricación – todo ello nos ayuda a ampliar nuestras diversas líneas de productos. Este nuevo desarrollo pone de relieve el profundo nivel de experiencia técnica e innovación de SanDisk que, en último término, beneficia a los consumidores”, afirmó Sanjay Mehrotra, cofundador y presidente de SanDisk. ”

Tecnología X3 de 32 nm—Perfecta para las aplicaciones microSD
La tecnología X3 de 32Gb en 32 nm constituye la pastilla de memoria NAND flash más pequeña anunciada hasta la fecha, capaz de encajar en el formato de la tarjeta de memoria microSD™, del tamaño de una uña, que fue muy bien acogida en los teléfonos móviles y otros dispositivos de electrónica de consumo. La pastilla de memoria microSD X3 de 32Gb con tecnología 32 nm es la de más alta densidad del mundo y proporciona el doble de capacidad de un chip microSD en 43nm a la vez que se mantiene una superficie de pastilla similar. Los avances en las tecnologías de proceso de 32 nm y en el diseño de circuitos integrados contribuyeron significativamente a un tamaño de pastilla de 113mm2 mientras que la arquitectura patentada All-Bit-Line (ABL) de SanDisk ha sido un elemento fundamental para mantener un rendimiento competitivo en la escritura X3.

“La pequeña superficie y la increíble densidad de la pastilla X3 de 32 nm hará posible la producción de tarjetas microSD de mayor capacidad que las que podrían fabricarse sin esta tecnología. El factor de forma microSD ha crecido en popularidad debido a la creciente demanda de almacenamiento de alta capacidad en teléfonos móviles, y X3 nos permitirá aportar nuevos e interesantes productos a este mercado”, dijo Yoram Cedar, vicepresidente ejecutivo de la unidad de negocio OEM e ingeniería corporativa de SanDisk.

Un dispositivo basado en tecnologías clave de SanDisk
32 nm es el nodo de tecnología de memoria flash más avanzado hasta la fecha, que requiere soluciones avanzadas para gestionar los retos de la reducción del tamaño del chip. La tecnología de 32 nm combina varias tecnologías innovadoras para reducir la superficie del chip más drásticamente que la tendencia que planteaba la Ley de Moore (que establece que la capacidad de los microprocesadores se dobla aproximadamente cada 18 meses).

“La tecnología de 32 nm se apoya en el exitoso despliegue de la litografía de inmersión en 43 nm de SanDisk para implementar un proceso de separadores sin incurrir en inversiones adicionales en equipos de litografía muy costosos. SanDisk aporta su longitud de cadena NAND de 64 bits a 32 nm, a la vez que compensa los efectos de interferencia bit a bit con innovadores algoritmos de programación y diseño del sistema”, dijo Klaus Schuegraf, vicepresidente de tecnología de memorias de SanDisk.

SanDisk y Toshiba han presentado un documento conjunto sobre la memoria flash X3 de 32Gb en 32nm en la Conferencia Internacional 2009 sobre Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), en el que destacan los avances técnicos que hicieron posibles los 32 nm. Se espera que la producción del chip X3 de 32Gb en 32nm comience en la segunda mitad de 2009.

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