SANDISK ANUNCIA LA PRIMERA TECNOLOGÍA DE MEMORIA FLASH DE 4 BITS POR CELDA (X4) DE ALTO RENDIMIENTO DEL MUNDO

  • La memoria flash de mayor capacidad— permite un chip de memoria en una única pastilla de 64 Gb
  • Mantiene el rendimiento al mismo nivel que la actual tecnología MLC
  • La producción de X4 de 64Gb basada en la madura tecnología de 43 nm de SanDisk está prevista para la primera mitad de 2009

Madrid 11 de febrero de 2009– Apoyándose en su liderazgo en tecnología de celda multinivel (MLC), SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) ha anunciado que comenzará la producción masiva de la primera memoria flash de 4 bits por celda (X4) de alto rendimiento del mundo. Utilizando la tecnología de proceso de 43 nanómetros (nm), este avance hace posible la memoria de 64 gigabits (Gb) en una única pastilla, la mayor capacidad existente en la industria y recomendable para las aplicaciones de almacenamiento más exigentes. SanDisk ha producido también un controlador X4 avanzado, que es necesario para gestionar de forma efectiva las complejidades y requerimientos de rendimiento de la memoria X4. El chip de memoria X4 se combina con el chip de controlador X4 en un paquete multi-chip (MCP) para proporcionar una solución de almacenamiento completa, integrada y de bajo coste.

“El desarrollo de las tecnologías de controlador y memoria X4 supone un hito para el almacenamiento de memoria flash que proporcionará a SanDisk importantes beneficios a largo plazo y juega un papel crucial en futuros escalados de flash NAND. X4 de 64 Gb es el resultado de numerosas e importantes innovaciones y demuestra el liderazgo de SanDisk impulsando la memoria flash multi-bit con rendimiento y coste adecuados, para las aplicaciones que requieren alta capacidad de almacenamiento como la música, las películas, las fotos, los GPS, los juegos, etcétera” dijo Khandker Quader, vicepresidente de tecnología de memorias y desarrollo de producto de SanDisk.

Avance en la memoria flash X4
SanDisk co-desarrolló el chip de memoria flash X4 de 64 Gb en tecnología de 43 nanómetros (nm) con Toshiba Corporation, que coopera con SanDisk en el desarrollo y fabricación de memoria flash avanzada. El nuevo chip X4 de 64 Gb en 43 nm es la pastilla de memoria flash de mayor capacidad y mayor densidad del mundo en entrar en producción este año, ofreciendo un rendimiento de escritura de memoria de 7.8MB/seg. que es comparable al de las actuales tecnologías de celda multinivel. La arquitectura All-Bit-Line (ABL) patentada de SanDisk así como la recientemente presentada programación en tres pasos (TSP) y el concepto de sentido secuencial (SSC) sirven como “activadores” fundamentales para el impresionante rendimiento de X4.

La tecnología de controlador X4 es clave
SanDisk desarrolló varias soluciones innovadoras para la gestión de sistemas avanzados que responden a las dificultades planteadas por esta compleja tecnología de 4 bits por celda. El controlador X4, desarrollado por SanDisk y propiedad de la empresa, utiliza un esquema de código de corrección de errores (ECC) que es el primero de su clase, diseñado específicamente para su uso en sistemas de almacenamiento y adaptado para soportar los 16 niveles de distribución necesarios para los 4 bits por celda.

“Los retos inherentes a la producción de tecnología de 4 bits por celda con buen rendimiento y bajos costes requieren innovaciones avanzadas a nivel del sistema en almacenamiento multi-nivel. Nuestra tecnología de controlador X4 con sus esquemas de gestión de memoria y procesamiento de señales es crucial para satisfacer las demandas únicas de la memoria de 4 bits por celda y demuestra la capacidad de SanDisk para conceptualizar y producir sofisticadas soluciones de memoria flash”, comentó Menahem Lasser, vicepresidente de tecnologías futuras e innovación de SanDisk.

SanDisk y Toshiba han presentado en el gran evento International Solid State Circuits Conference 2009 (ISSCC), un documento técnico que describe los avances claves de la tecnología que condujeron al desarrollo de la memoria flash NAND de 4 bits por celda de 64 Gb en nodo de tecnología de 43 nm. Este anuncio se produce un año después de que SanDisk desvelara su tecnología X3 (NAND de 3 bits por celda) en la conferencia ISSCC del 2008 y ha sido posteriormente distinguido con el premio ISSCC 2009 Lewis Winner al documento más destacado.

No hay comentarios:

Publicar un comentario