INTEL CONCLUYE LA FASE DE DESARROLLO DE SU PROCESO DE FABRICACIÓN DE 32 NM DE LA SIGUIENTE GENERACIÓN

Intel Corporation ha concluido la fase de desarrollo de su proceso de fabricación de la siguiente generación que va a reducir aún más el tamaño de los circuitos del procesador hasta los 32 nanómetros (siendo un namómetro la mil millonésima parte del metro). La compañía se está preparando para iniciar la fase de producción de esta futura generación en el cuarto trimestre de 2009, utilizando para ello transistores de mayor densidad, rendimiento y eficiencia energética.

Intel va a ofrecer una gran cantidad de información técnica sobre la tecnología de fabricación de 32 nm (entre otros asuntos) durante las presentaciones que va a realizar en la Reunión Internacional sobre Dispositivos de Electrones (International Electron Devices Meeting, IEDM) la semana que viene en San Francisco. La finalización de la fase de desarrollo de la tecnología de fabricación de 32 nm y la preparación para la producción permiten a la compañía seguir el ritmo de sus planes ambiciosos de fabricación y comercialización de productos, conocidos como la estrategia “tick-tock” de Intel.

Este plan gira en torno a la presentación de una microarquitectura de procesador totalmente nueva, que se alterna con un proceso de fabricación innovador aproximadamente cada doce meses, poniendo de manifiesto un esfuerzo sin igual en el sector. La producción de procesadores de 32 nm el año que viene permitiría a Intel lograr este objetivo por cuarto año consecutivo.

El documento y la presentación sobre la tecnología de Intel para fabricación de 32 nm describen una tecnología lógica que incorpora la segunda generación de puerta de metal high-k, litografía de inmersión de 193 nm para el diseño de capas de patrones esenciales y la mejora de las técnicas para distribución de transistores. Estas prestaciones mejoran el rendimiento y la eficiencia energética de los procesadores de Intel. El proceso de fabricación de Intel ofrece el máximo rendimiento y la mayor densidad de los transistores en cualquier tecnología de 32 nm implementada en el sector.

“Nuestra destreza en la fabricación y los productos resultantes nos han servido de ayuda para ampliar nuestro liderazgo en rendimiento informático y en duración de baterías para ordenadores portátiles, servidores y equipos de sobremesa basados en tecnología de Intel”, ha afirmado Mark Bohr, Senior Fellow de Intel y director de arquitectura e integración de procesos. “Tal y como hemos mostrado este año, la estrategia de fabricación y la ejecución de los planes nos han ofrecido la posibilidad de crear unas líneas de productos totalmente nuevas para dispositivos móviles para Internet (MIDs), equipos de electrónica de consumo, ordenadores embebidos y netbooks”.

Otros documentos que va a ofrecer Intel en el IEDM van a describir una versión de sistema sobre chip de bajo consumo del proceso de 45 nm de Intel; transistores basados en semiconductores compuestos; ingeniería de substratos para mejorar el rendimiento de los transistores de 45nm; la integración del proceso de pulido mecánico y químico para el nodo de 45 nm y superior e integración de un conjunto de moduladores de fotónica de silicio. Intel participará también en unas jornadas sobre Tecnología de CMOS de 22 nm.

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